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Oggetto: | Wafer a 6 pollici nero del Tantalate del litio di spessore di 0.2mm per uso della SEGA | Materiale: | Tantalate del litio (LiTaO3 |
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Diametro: | 4inch, 6inch | Thinckness: | 0.2mm, 0.35mm, 0.5mm |
Indici di rifrazione: | no=2.176, ne=2.180 (a 0,633 µm) no=2.131, ne=2.134 (a µm 1,2) | Orientamento: | X-112°Y, 36°Y, 42°Y±0.5 |
Temperatura di curie: | 607℃ | Omogeneità ottica: | ~10-5 |
Evidenziare: | wafer del Tantalate del litio di 0.2mm,Wafer a 6 pollici del Tantalate del litio,Wafer di uso LiTaO3 della SEGA |
Wafer a 6 pollici nero del Tantalate del litio di spessore di 0.2mm per uso della SEGA
L'a cristallo del Tantalate del litio LiTaO3 (LT) è un materiale di cristallo multifunzionale importante con piezoelettrico, ferroelettrico eccellente, acustico-ottico e l'elettrotipia-opticaleffects. Di conseguenza, si è trasformato in in un materiale funzionale di base nel campo dei dispositivi acustici, delle comunicazioni ottiche, del laser e dell'optoelettronica dell'onda di superficie (SEGA). Il wafer lucidato di LT è ampiamente usato nella fabbricazione dei risuonatori, dei filtri, dei trasduttori e di altri dispositivi di comunicazione elettronica, particolarmente per il suo buon accoppiamento meccanico ed elettrico, coefficiente di temperatura e l'altra prestazione completa ed è utilizzato nella fabbricazione dei dispositivi ad alta frequenza dell'onda acustica e di superficie e si applica in molto telefoni cellulari, citofono, telecomunicazione via satellite, spazio aereo ed in altri campi di comunicazione.
Proprietà di base di LiTaO3:
Crystal Structure | Trigonal |
Ingraticci costante | a=5.154Å, c=13.783Å |
Densità | 7.45g/cm3 |
Punto di fusione | ℃ 1650 |
Punto di curie | 603±2℃ |
Durezza di Mohs | 5.5-6 Mohs |
Costante dielettrica | es11/eo: 39~43, es33/eo: 42~43; et11/eo: 51~54, et33/eo: 43~46 |
Conducibilità termica | 1015wm |
Coefficiente di espansione termica | a1=a2=1.61×10-6/℃, a3=4.1×10-6/℃ |
Indici di rifrazione | n0=2.176 ne=2.180 @ 633mn |
E-O Coefficient | R33=30.4 |
Fattore elettromeccanico della coppia | R15≥0.3 |
coefficiente pyroelectric | 2.3×10-7 C/cm2/K |
gamma di trasmissione | 400-5000nm |
Specifiche tipiche:
Dimensione | Boule o grado acustico o ottico del wafer, |
Verniciatura | Fe, nessuna verniciatura o con il Fe |
Lunghezza di Boule | ≥50mm |
Spessore del wafer | 0,25, 0,35, 0,50 (millimetri) |
Orientamento | Y42°/Y36°/X/Y/Z o su richiesta |
Processo di superficie | Singolo/doppio polacco dei lati |
TTV | < 10=""> |
ARCO | ± dell'ARCO (25μm ~40um) |
Filo di ordito | ≤35μm |
Larghezza piana | 32.0±2.0(millimetro) o su richiesta |
Rugosità | Ra≤10Å |
Chamfe | ° di 0.1mm@45 del ≤ |
Persona di contatto: Ms. Wu
Telefono: 86-18405657612
Fax: 86-0551-63840588